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国内首颗8英寸区熔硅单晶研制成功

发布时间:2019-07-05 15:31:40

国内首颗8英寸区熔硅单晶研制成功

中新12月27日电 日前,中环股份发布了晶硅材料三类新产品,国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。据悉,这三项技术的成功突破,打破了国外对8英寸区熔硅单晶生长技术的封锁。将进一步提升中国企业在这两个领域的竞争力,加速产业升级。  中新能源频道了解到,区熔硅单晶已成为IGBT的主体功能性材料。IGBT是新一代的功率半导体器件,其技术应用的核心是通过电源频率调制实现整机、装置的控制和节能,其产品应用已覆盖高速机车、新能源汽车、工业节能、新能源、节能家电等领域。2010年中国IGBT市场规模约70亿元,未来预计将以25%以上的速度增长。目前全球有近20家区熔单晶制造商,其中前5位公司垄断了全球产量95%以上。中环股份占据第三位,这次宣布拉制出的8英寸区熔硅单晶是国内首例。  中环股份以半导体硅单晶材料、单晶硅光伏产品和半导体器件为主营业务。是国内历史最悠久、综合技术实力最雄厚、产品种类最丰富的单晶硅材料制造企业。尽管今年全球光伏产业面临产能过剩及行业洗牌,但中环股份仍宣布将凭借最新技术新一代直拉区熔法进军高效太阳能电池硅单晶领域。推动行业产业升级发展。(中新能源频道)

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